翘曲仿真方法、电子设备及计算机可读存储介质

AITNT
正文
推荐专利
翘曲仿真方法、电子设备及计算机可读存储介质
申请号:CN202510393324
申请日期:2025-03-31
公开号:CN120654453A
公开日期:2025-09-16
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种翘曲仿真方法、电子设备及计算机可读存储介质,涉及半导体封装技术领域,该翘曲仿真方法应用于芯片封装结构,该芯片封装结构包括相对两侧设置的散热盖和封装基板叠层,该方法包括:基于散热盖的第一本体结构,以及第一来料初始翘曲度,对散热盖进行建模,得到散热盖模型;基于封装基板叠层的第二本体结构,以及第二来料初始翘曲度,对封装基板叠层进行建模,得到基板叠层模型;基于散热盖模型和基板叠层模型,构建得到有限元仿真模型;基于有限元仿真模型,结合芯片封装结构的工艺制程下至少一个工艺站点的温度载荷,对经过工艺制程而产生的封装翘曲进行仿真,得到目标封装翘曲仿真模型。本申请能够提高封装翘曲仿真精度。
技术关键词
翘曲仿真方法 仿真模型 芯片封装结构 散热盖 封装基板 三维模型 叠层 硅片 制程 站点 结构胶 底部填充胶 可读存储介质 载荷 半导体封装技术 泊松比 接触面 电子设备
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号