一种芯片老化测试与分析方法

本发明涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种芯片老化测试与分析方法，包括以下步骤：基于晶圆级与封装后测试数据的融合，构建了包含工艺偏差、电气参数及热力学参数的老化参数矩阵，测试过程中，通过可编程电源与多区控温阵列实现多应力协同加载，实时采集瞬态电信号、热成像数据及漏电流频谱，跨维度提取电气‑热力耦合系数与工艺偏差敏感度因子，建立非线性衰退模型，评估芯片功能区块的差异化老化路径，基于动态寿命预测模型与故障预警机制，生成并执行自适应测试优化策略，实现对多种失效模式的早期预判和应力调整。本发明，能显著提高老化测试的效率与准确性，为深亚微米及后摩尔时代芯片的高可靠性评估提供技术支撑。