具有多级瓷壳结构的真空灭弧室绝缘结构调节方法

AITNT
正文
推荐专利
具有多级瓷壳结构的真空灭弧室绝缘结构调节方法
申请号:CN202510394788
申请日期:2025-03-31
公开号:CN120470637A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种具有多级瓷壳结构的真空灭弧室绝缘结构调节方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品,可用于电力技术领域。该方法包括:基于真空灭弧室的第一结构图纸,构建第一电场仿真模型;将绝缘试验参数输入至第一电场仿真模型,得到第一电场仿真结果;根据第一电场仿真结果和电容等效电路模型,对第一结构图纸中的结构参数进行调节处理,得到第二结构图纸;基于第二结构图纸,构建第二电场仿真模型;将绝缘试验参数输入至第二电场仿真模型,得到第二电场仿真结果;在第二电场仿真结果满足绝缘性能指标的情况下,将第二结构图纸作为真空灭弧室的目标结构图纸。采用本方法能够提高真空灭弧室的结构调节效率。
技术关键词
图纸 电场 等效电路模型 仿真模型 瓷壳结构 真空灭弧室 绝缘结构 参数 计算机程序产品 电容 触头 计算机设备 输入模块 可读存储介质 处理器 存储器
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号