闪存的测试方法

本发明提供一种闪存的测试方法，对存储单元阵列的存储单元进行写“0”操作，获得最低的浮栅电压。存储单元的存储位全为“0”背景下进行写“1”操作。通过先写“0”，然后在存储位全为“0”背景下进行若干次写“1”操作，从而得到远大于终端用户写“1”操作模式下位线与浮栅之间的电压差；使有缺陷的存储单元尽早暴露出来并剔除。接着对存储单元阵列的存储单元进行擦除和读操作；然后在存储位全为“1”背景下写“1”操作，以对擦除后的存储单元进行浮栅缺陷筛查，异常浮栅所在整列的存储单元写“1”失效，筛选出异常浮栅所在整列的存储单元。将有缺陷芯片在良率测试阶段筛选出来，提高闪存可靠性，避免闪存在终端用户使用失效。