一种基于全硅基晶圆级3D集成自封装开关矩阵及其制作方法

本发明提供了一种基于全硅基晶圆级3D集成自封装开关矩阵及其制造方法，涉及硅基三维集成技术领域。其中主要包括以下特征：至少包括自下而上的第一层硅衬底、第二层硅衬底、第三层硅衬底、第四层硅衬底、第五层硅衬底、第六层硅衬底、第七层硅衬底；带M个输入接口的射频输入网络；带N个输出接口的射频输出网络（M和N为正整数）；功分器；开关芯片；译码芯片；电容芯片等；射频网络电路；控制网络电路；TSV（硅通孔）阵列。本发明利用TSV垂直互连和晶圆级低温键合工艺实现了多层硅衬底堆叠以及开关矩阵的自封装，具有尺寸小、重量轻、损耗低、隔离度高、一致性好等优点，特别适合批量化生产制造。