一种石墨烯量子霍尔电阻芯片及其制备方法

本发明涉及量子电阻标准技术领域，具体公开了一种石墨烯量子霍尔电阻芯片，包括：基片、金属电极，以及位于基片上方的复合石墨烯量子霍尔层；所述复合石墨烯量子霍尔层由下至上依次包括：修饰层、多层石墨烯层、钝化层，所述金属电极一部分位于多层石墨烯层的上方，一部分位于钝化层的上方，另一部分位于基片上，呈一体台阶状。本发明的石墨烯量子霍尔电阻芯片，通过石墨烯量子霍尔电阻芯片结构设计，能够提高量子霍尔电阻芯片精度，提高石墨烯量子霍尔电阻器件的稳定性和精度，降低量子霍尔电阻器件对运行环境要求和运行成本，有利于量子霍尔电阻器件的应用。