一种基于硅通孔的三维集成光电转换芯片及其制备方法

本发明提供一种基于硅通孔的三维集成光电转换芯片及其制备方法，包括：电芯片层；在电芯片层沿第一方向的一侧上依次叠置第二再布线层、硅通孔转接层、第一再布线层与光芯片层；其中，电芯片层与第二再布线层之间通过第二凸点相键合，第一再布线层与光芯片层之间通过第一凸点相键合；电芯片层包括低噪声放大器芯片，光芯片层包括光电探测器芯片；第一再布线层、第二再布线层与硅通孔转接层将光电探测器芯片和低噪声放大器芯片进行连接以形成光电转换通道，光电转换通道用于将光电探测器芯片接收的光信号转换为射频信号后通过低噪声放大器芯片输出。