一种高荧光发光效率的AgInS2/ZnS量子点及其制备方法和在白光发光二极管中的应用

本发明提供了一种高荧光发光效率的AgInS2/ZnS量子点及其制备方法和在白光发光二极管中的应用，属于半导体材料技术领域。本发明在AgInS2成核后分两次注入混合ZnS前驱体，第一次注入对应的反应温度为170~190℃，第二次注入对应的反应温度为200~220℃。通过控制锌离子交换的速率，有效预防了因快速的锌离子交换在AgInS2核心量子点中引入不可逆的晶格缺陷的产生，显著提高了绿色发光AgInS2/ZnS量子点的发光效率。本发明通过将四种颜色（524、564、599和632 nm）的AgInS2/ZnS量子点与450 nm氮化镓芯片结合制造的WLED表现出明亮温暖的白光，具有优异的显色性能。