制造半导体器件的方法

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制造半导体器件的方法
申请号:CN202510419457
申请日期:2025-04-03
公开号:CN120824261A
公开日期:2025-10-21
类型:发明专利
摘要
本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法。在半导体衬底SB的背表面研磨成使得半导体衬底中央部分的厚度小于半导体衬底周边部分的厚度之后,在半导体衬底的背表面形成包括由银或铜制成的膜的金属膜。之后,通过金属膜将划片带粘合到半导体衬底的背表面。划片带的基底材料层由聚氯乙烯制成。此外,在将周边部分与中央部分和划片带分离之后,对粘合到划片带的半导体衬底进行划片。之后,运输粘合到划片带上的半导体衬底。
技术关键词
半导体晶片 半导体衬底 真空容器 半导体器件 半导体芯片 基底 布线结构 半导体元件 丙烯酸树脂 粘合剂层 台阶
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