一种基于外延工艺的具高电阻均匀性压力芯片及压力传感器

本发明公开了一种基于外延工艺的具高电阻均匀性压力芯片，涉及传感器技术领域，包括单晶硅基底层、外延沉积生长的导电层及焊盘层；通过外延生长形成高阻值单晶硅层作为导电层，并采用光刻和刻蚀工艺制备多个电阻条，抑制电阻的阻值偏差，提高电阻均匀性；多个电阻条组成两个电阻组并以双M型对称分布，搭成惠斯通电桥；其中，单组电阻组和内接焊点形成M型结构，能够增加电阻条的电阻路径长度和均匀应力分布，获得高压阻系数和高灵敏度；且双M型对称结构可有效抵消温度变化引起的电阻漂移，进而抑制共模干扰，提高传感器的温度稳定性和抗干扰能力；解决了现有压力芯片因蚀刻厚度不均与掺杂波动导致的电阻均匀性低、测量精度不足的问题。