一种片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片

本发明公开了一种片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片，涉及芯片加工技术领域，具体包括P‑Si衬底、外延过渡缓冲层、缓冲层结构、激光器增益区和波导结构、光栅结构区域、脊型波导结构，该片上集成的高功率U波段多波长高速激光芯片，通过单片上实现多波长高速激光、并合束和放大，采用不同倾斜波导对应不同光栅周期和出光波长，通过计算可以在单片上实现多个目标波长，通过合理设置脊波导倾斜角度，可以激光器同时输出1621nm、1641nm、1661nm、1681nm四个波长，其性能可以实现100G长距离传输，取代传统分立光器件；采用外延的P型衬底和共面电极有效降低器件串联电阻和发热功耗，并通过SOA进一步放大多路合束的高速激光。