基于电流调制层的ZrOX基RRAM器件

本发明公开基于电流调制层的ZrOx基RRAM器件，属于半导体存储器件领域；基于电流调制层的ZrOx基RRAM器件由上至下依次包括：电流调制层、顶部电极、高电阻层ZrO2、高电导率层ZrOx以及底部电极；通过对器件输入不同的限制电流，电流调制层能够调制器件顶部电极上的电压。通过在ZrOx基RRAM器件中引入CML，能够有效控制导电细丝的形成过程，减少电场和热干扰的影响；CML能够在电流达到限制电流时自动切断电压输出，从而避免过冲电流的产生，优化器件的开关特性。