一种形成异质芯片的封装方法及晶圆封装结构

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正文
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一种形成异质芯片的封装方法及晶圆封装结构
申请号:CN202510432116
申请日期:2025-04-08
公开号:CN120280349A
公开日期:2025-07-08
类型:发明专利
摘要
本公开实施例提供一种形成异质芯片的封装方法及晶圆封装结构,该封装方法包括:提供设置有多个焊盘和钝化层的晶圆;在钝化层和焊盘上形成与焊盘电连接的UBM层;在UBM层对应焊盘处电镀形成导电抗腐蚀层;在部分焊盘对应的导电抗腐蚀层上电镀形成凸块结构;切割晶圆以形成多个第一芯片和多个第二芯片,第一芯片的UBM层上依次形成有导电抗腐蚀层和凸块结构,第二芯片的UBM层上仅形成有导电抗腐蚀层。该封装方法首次在UBM层上形成导电抗腐蚀层,防止后续形成凸块结构工艺中的化学腐蚀,解决了不同芯片共存时的工艺冲突问题;导电抗腐蚀层兼具防腐蚀性和导电功能,形成的第二芯片无需额外的钝化层,简化工艺流程并提高芯片可靠性。
技术关键词
凸块结构 光刻胶层 导电 晶圆封装结构 封装方法 芯片 功能面 简化工艺流程 焊盘 镀层 异质 电镀工艺
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