一种具有低钳位电压的低容TVS结构及其制备方法

本发明公开了一种具有低钳位电压的低容TVS结构及其制备方法，涉及半导体防护器件技术领域。所述TVS结构包括：第一导电类型的衬底层、第一埋层、阱区、第一注入区、第二注入区，第二导电类型的第二埋层、外延层、第三注入区、第四注入区、第五注入区，以及第一深槽与第二深槽；其中，外延层设置于衬底层上方并与衬底层接触，外延层的底表面与衬底层的顶表面间夹设有第一埋层与第二埋层；外延层的一侧顶部形成有阱区，并与第一埋层位于同一纵向延伸方向；阱区的内部顶表面形成有第一注入区和第四注入区，且第四注入区分布在第一注入区的两侧，阱区的外部两侧形成有第三注入区；外延层的另一侧顶部形成有第二注入区和第五注入区，并与第二埋层位于同一纵向延伸方向上；多个第一深槽贯穿外延层并伸入衬底层，第二深槽贯穿外延层和第二埋层并伸入衬底层；第一注入区、第四注入区与第二注入区通过金属布线相连并共同组成第一电极，第五注入区与第二深槽通过金属布线相连并与衬底层共同组成第二电极。相较于现有技术，本发明解决了横向结构面积制约的难题，实现了小面积芯片上高浪涌电流和低寄生电容的结合。