芯片划裂膜及其制备方法

本发明公开了一种芯片划裂膜及其制备方法，涉及晶圆切割保护膜技术领域。包括基材层，基材层的一侧设置有硅油层，另一侧设置有抗静电层，硅油层包括间隔设置用于放置晶圆的无硅区。基材层的厚度为0.02mm‑0.1mm。无硅区为圆形，且直径为90mm‑130mm。能够在为晶圆切割过程中提供保护，且无硅污染。