数控延时器、四位数控延时器及其芯片的制造方法

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数控延时器、四位数控延时器及其芯片的制造方法
申请号:CN202510438756
申请日期:2025-04-09
公开号:CN120377877A
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种数控延时器、四位数控延时器及其芯片的制造方法。该延时器包括:第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关、延时单元和参考单元;第一单刀双掷开关包括两级并联的三极管S1和S2;第二单刀双掷开关包括两级并联的三极管S3和S4;延时单元的一端连接S1的漏极另一端连接S3的漏极;参考单元的一端连接S2的漏极另一端连接S4的漏极;S1和S2的漏极连接射频信号输入端口;S3和S4的漏极连接射频信号输出端口;S1、S2、S3和S4的源极均直流接地,栅极均连接电压控制单元,通过控制栅极电压控制每个三极管的导通和关断,使得延时器在参考态和延时态之间切换。本发明能够降低延时器在毫米波频段的插入损耗。
技术关键词
数控延时器 三极管 单刀双掷开关 射频信号输入端口 共面波导传输线 控制栅极电压 直流接地 电阻 控制单元 毫米波频段 芯片 隔离带 级联 关断
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