一种霍尔传感器的封装结构的制备方法

本发明实施例公开了一种霍尔传感器的封装结构的制备方法，该制备方法包括提供目标集成芯片、框架以及隔离垫片；目标集成芯片包括叠层设置的基底和电路层；电路层包括霍尔传感器和功能焊盘；框架包括原边框架和副边框架；将目标集成芯片进行翻膜，使电路层朝下，基底朝上；将框架进行翻转，使引脚镀银面朝下；将隔离垫片的一面与原边框架进行贴附；将电路层与隔离垫片的另一面进行贴附，得到装片结构；将目标集成芯片与副边框架进行键合，使功能焊盘与引脚镀银面进行焊接，得到封装结构，如此能够保证霍尔传感器位于集成芯片靠近原边框架的一侧，减小霍尔传感器与原边框架之间的距离，提高霍尔传感器感应到的磁通量，提高产品的灵敏度。