埋置有源芯片/无源器件的硅基产品的电学特性测试方法

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正文
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埋置有源芯片/无源器件的硅基产品的电学特性测试方法
申请号:CN202510441181
申请日期:2025-04-09
公开号:CN120294538A
公开日期:2025-07-11
类型:发明专利
摘要
本发明属于电子技术领域,涉及一种埋置有源芯片/无源器件的硅基产品的电学特性测试方法。本发明在硅基产品生产过程中增加转接板硅通孔测试、双面连通性测试、隔离特性测试、信号开短路测试和无源器件电学参数测试。通过转接板硅通孔测试判断硅通孔的连通性。通过双面连通性测试检测RDL(再布线层)线路的桥接、断裂或接触不良问题。通过隔离特性测试识别因工艺偏差导致的线条粘连或隔离层缺陷。通过信号开短路测试判断信号管脚是否开路或短路。通过无源器件电学参数测试筛选出因埋置工艺导致的无源器件性能劣化产品。本发明能够实现硅基产品的全流程测试,有利于及时发现工艺问题,显著提升良率,确保产品可靠性,提高生产效率。
技术关键词
电学特性测试方法 开短路测试 芯片 双面飞针测试系统 集成无源器件 通孔 电压 堆叠产品 信号 排版软件 漏电流 布线工艺 转接板 管脚 钳位
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