经时击穿SPICE电路模型及其构建、验证方法及应用

本公开实施例涉及封装互连可靠性分析技术领域，提供了一种经时击穿SPICE电路模型及其构建、验证方法及应用。本公开实施例采用金属导电细丝紧凑模型来解释相关物理现象，并结合用于描述电阻退化现象的电阻退化模型构建SPICE等效电路模型，将TDDB效应转化为电路参数的变化，有效描述了介质层在电场应力下的动态退化过程，实现了对器件寿命预测、电流与电阻退化过程的建模，大幅简化了计算过程，同时引入用于描述工艺不确定性的工艺容差模型构建经时击穿SPICE电路模型，不仅提升了计算效率，还保持了较高的建模精度，具有显著的工程应用潜力，可在介质击穿效应的评估设计阶段识别潜在风险，并通过优化设计显著提升其可靠性。