一种在pGaN栅增强型氮化镓HEMT器件上制备欧姆接触的工艺方法

本发明公开了一种在pGaN栅增强型氮化镓HEMT器件上制备欧姆接触的工艺方法，涉及欧姆接触技术领域，本发明涉及一种在pGaN栅增强型氮化镓GaNHEMT器件上制备欧姆接触的工艺，通过光刻在pGaN层定义欧姆接触区域，并利用含有SF6和BCl3的混合蚀刻气体去除pGaN层并蚀入AlGaN表面；随后对刻蚀后的AlGaN表面进行表面处理，以去除蚀刻损伤层；在所述欧姆接触区域内依次沉积Ti/Al/Ni/Au金属层，并在退火前于该金属表面覆盖一层钝化层；最后对器件进行快速热退火RTA，使金属层与GaN/AlGaN外延结构形成低欧姆接触；通过该工艺可有效降低pGaN栅增强型GaNHEMT的接触电阻和方块电阻，提高器件的工作效率与可靠性。