DRAM存储器及端侧设备

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DRAM存储器及端侧设备
申请号:CN202510443649
申请日期:2025-04-09
公开号:CN120045480A
公开日期:2025-05-27
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种DRAM存储器及端侧设备,DRAM存储器包括:多个存储器块,用于存储数据;多个存储器块控制器,对应于所述多个存储器块设置,每一存储器块控制器能够控制对应的所述存储器块写入或读取数据;ONFI接口控制器,与所述多个存储器块控制器分别相连接,能够向所述多个存储器块控制器发送指令以控制所述多个存储器块的运行;以及IO接口,与所述ONFI接口控制器相连接,并被配置为用于与主控制电路相连接,接收所述主控制电路的控制信号并发送至ONFI接口控制器。本发明通过利用ONFI协议控制DRAM存储器,并结合三维封装、CE Reduction机制等技术,在降低成本、功耗和芯片面积的同时,提高了存储密度、数据访问效率和系统灵活性,满足了多样化的应用需求。
技术关键词
DRAM存储器 主控制电路 存储控制芯片 FLASH存储器 控制器 三维封装 数据访问效率 存储芯片 协议 网络接口 指令 机制 信号 功耗
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