一种芯片废水除氟新型材料及其制备方法

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一种芯片废水除氟新型材料及其制备方法
申请号:CN202510444765
申请日期:2025-04-10
公开号:CN120054421A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种芯片废水除氟新型材料及其制备方法,制备方法包括:将酸化处理的活性炭浸没于浓度为0.8~1.4mol/L的氯化铝溶液中浸渍22~26 h后,调节浸渍体系的pH至6~8,得到的沉淀物在氮气气氛下烧制3~4h,制得铝改性活性炭;向浓度为0.2~0.7mol/L的氯化铈溶液中加入氢氧化钠,调节体系pH至6~8,然后加入酸化处理的铝改性活性炭,所得反应物于220~260℃的温度下煅烧22~26h,制得除氟材料。本申请在制备时选择铝和铈双改性处理活性炭,实现有效改性活性炭表面活性位点,使活性炭表面以及孔隙内均匀、充分负载铝、铈两种离子,以增强对氟离子的吸附性,强化除氟效果,同时降低制备成本、简化制备步骤,构建一种绿色、高效、经济效益更高的活性炭改性制备体系。
技术关键词
改性活性炭 新型材料 浸渍体系 芯片 氟离子吸附剂 沉淀物 烧制 溶液 除氟材料 氯化铝 气氛 氮气 煅烧 硝酸 去离子水 氨水 位点
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