一种用于芯片热管理的薄膜及其制备方法

本发明公开了一种用于芯片热管理的薄膜及其制备方法。其中，薄膜的结构包括：氮化硅基板、氮化硅梯度过渡层和聚酰亚胺发泡层。制备方法包括以下步骤：在氮化硅基板表面刻蚀蜂窝状阵列孔洞，在蜂窝状阵列孔洞中沉积氮化硅梯度过渡层，在氮化硅梯度过渡层之间及氮化硅基板表面填充聚酰亚胺发泡层。本发明的用于芯片热管理的薄膜及其制备方法，薄膜将芯片的余热吸收后通过辐射降温将热量散出，解决芯片运行过程中产生的余热无法及时导出的问题。