一种双梯形半导体桥换能元芯片及其制备方法

本发明公开了一种双梯形半导体桥换能元芯片及其制备方法，属于电火工品技术领域，包括由下而上依此设置的基底层、绝缘层、N型重掺杂多晶硅层和电极层；基底层上表面氧化生成一层SiO2作为绝缘层，绝缘层上表面沉积生长一层N型重掺杂多晶硅层，通过对多晶硅层的中间部分进行光刻和刻蚀形成双梯形结构的多晶硅桥区，并在多晶硅桥区两侧上方设置电极层。本发明提出的双梯形多晶硅桥区结构相比于传统的尖角形桥区能够分散电流的聚集，减缓热量产生效率，防止因为静电放电对半导体桥产生的意外损伤，同时能够满足降低发火能量、提升点火效率的需求，具有高安全性、高可靠性和低发火能量等优点。