三维集成芯片、散热结构及其制备方法

本发明提出一种三维集成芯片、散热结构及其制备方法，散热结构的制备方法包括：提供第一晶圆与第二晶圆；在第一晶圆的其中一个表面形成第一介质层；在第一介质层上刻蚀形成凹槽，凹槽沿长度方向贯穿第一介质层的两端；在第二晶圆的与第一介质层相对的表面形成第二介质层；将第二介质层与第一介质层进行异质集成；将凹槽的两端与封装基板的循环散热管路的进口与出口分别对准连接并封装。本发明通过对晶圆键合表面进行微通道织构，不仅有效提高键合界面的质量和可靠性，同时在靠近芯片功能层最近的位置设置散热通道，提高芯片的热管理能力。