可解决键合界面气泡问题的晶圆结合体、芯片及制备方法

本发明提出一种可解决键合界面气泡问题的晶圆结合体、芯片及制备方法，制备方法包括：提供第一晶圆与第二晶圆；在第一晶圆的其中一个表面形成第一介质层；在第一介质层上刻蚀形成凹槽；在第二晶圆的与第一介质层相对的表面形成第二介质层；将第二介质层与第一介质层对准并键合，形成晶圆结合体。本发明通过在晶圆键合表面形成凹槽的微织构结构，为晶圆键合过程中键合界面形成化学键所产生的气体提供逸散通道，降低键合界面气泡的产生率，有效提高键合界面的质量和可靠性，提高芯片流片的成品率。尤其是改善直接键合XOI的膜层质量，提高XOI晶圆材料的可靠性。