VCSEL芯片及其制备方法、光发射组件和光模块

本申请涉及一种VCSEL芯片及其制备方法、光发射组件和光模块，VCSEL芯片包括衬底、依次设于衬底上的导热部和VCSEL器件功能层以及设于衬底背离导热部一侧的加热层；其中，衬底设有通孔；加热层通过通孔与导热部连接，以使加热层产生的热量经导热部传输至VCSEL器件功能层。在VCSEL芯片处于低温环境的情况下，本申请的VCSEL芯片能够通过加热层加热，且使得加热层产生的热量经导热部快速传输至VCSEL器件功能层，使得VCSEL器件功能层的传输性能不受低温环境影响。且可以通过导热部将VCSEL芯片产生的热量高效地传导出去，因此本申请中的VCSEL芯片的散热效率也能得以提升，避免温度持续升高而导致VCSEL芯片的输出功率降低。