灌封过程仿真方法

本发明提供了一种灌封过程仿真方法，包括：基于获取的芯片、焊球和基板参数构建几何模型；将几何模型分为重点仿真区域和非重点仿真区域；分别对重点仿真区域和非重点仿真区域进行判定分类；基于判定分类结果对几何模型进行简化；对简化后的几何模型进行网格划分生成有限元模型；设定的初始条件以及边界条件，对有限元模型进行流场耦合分析。通过将灌封过程的几何模型分为重点仿真区域和非重点仿真区域，然后基于判定分类结果对几何模型进行简化，对简化后的几何模型进行网格划分生成有限元模型，先对模型进行简化，然后基于简化的模型生成有限元模型，简化了有限元模型的计算量，从而达到减少计算量的目的。