一种用于纳米线的制备方法

本发明涉及碳化硅器件技术领域，公开了一种用于纳米线的制备方法，其步骤包括：准备衬底晶圆(1)；在衬底晶圆(1)的表面涂布光阻材料层(2)；通过激光直写光刻法在光阻材料层(2)上形成生长孔(21)；将衬底晶圆(1)放入含有金属离子的化学液体中，通过电镀在生长孔(21)中生长金属结构；用化学方法或者物理灼烧方法去除掉光阻材料层(2)，形成金属纳米线(3)。本申请同时可精确控制金属纳米线直径，以及金属纳米线之间的距离，任意设计金属纳米线的分布；可以大幅增加芯片金属焊盘(metalpad)的表面积、提高表面激活能，从而大幅降低芯片在后续焊接工艺中所需的温度，同时大幅提高芯片封装的焊接强度。