一种温度自适应的TSV层等效热导率动态计算方法

本发明涉及集成电路设计领域，提供了一种温度自适应的TSV层等效热导率动态计算方法。本发明的目的在于解决3D集成电路TSV层等效热导率计算中因硅材料热导率随温度非线性变化导致的精度不足问题，获取TSV层的初始结构参数，包括TSV阵列密度、半径；基于所述TSV阵列密度和半径，通过预构建的混合系数查找表确定铜与硅的混合系数，根据当前温度场数据，查询硅和铜的实时热导率，计算等效热导率，将所述等效热导率代入热传导方程进行温度场仿真，获得更新后的温度分布数据；根据仿真温度更新铜和硅的热导率，迭代直至等效热导率的相对变化量小于预设阈值，输出收敛后的等效热导率。