一种MX2/CrCl3异质结的制备方法

本发明公开了一种MX2/CrCl3异质结的制备方法，对SiO2/Si衬底进行清洗以获得洁净表面，使用3M胶带粘取块体样品后，通过两条胶带反复粘合撕开的方式在胶带上获得密集且分布均匀的厚层材料，随后利用PDMS从胶带上厚层材料表面剥离出二维材料，再借助光学显微镜或光致发光光谱识别出单层MX2和少层CrCl3；借助二维转移平台，将少层CrCl3和单层MX2依次堆叠到清洗干净的SiO2/Si衬底上，从而搭建成MX2/CrCl3二维范德华异质结构；对制备完成的MX2/CrCl3样品进行真空退火处理，用以增强其界面耦合，自此获得了质量较高的MX2/CrCl3二维范德华异质结样品；圆偏振激光激发MX2/CrCl3异质结，诱导出MX2的无外场室温谷极化，最终实现无外场作用下非共振激发的室温谷极化。