基于Cr2Cl3S3/Ga2O3异质结构的非易失性存储器件、构建方法及应用

本发明公开基于Cr2Cl3S3/Ga2O3异质结构的非易失性存储器件、构建方法及应用，属于非易失性存储器件领域；构建方法包括：搭建单层Cr2Cl3S3和单层Ga2O3；将单层Cr2Cl3S3和单层Ga2O3堆叠，来搭建两种Cr2Cl3S3/Ga2O3异质结构；利用两种Cr2Cl3S3/Ga2O3异质结构，来构建基于Cr2Cl3S3/Ga2O3异质结构的非易失性存储器件；通过电场调控铁电(FE)材料Ga2O3的极化方向，能够实现铁磁(FM)半导体Cr2Cl3S3从半导体态到半金属态的可逆切换，这一过程具有显著的非易失性特点：一旦极化方向被改变，Cr2Cl3S3的状态(半导体或半金属)将保持不变，直至下一次极化方向被改变；这种特性对于存储器件尤为重要，因为它允许在没有持续电场的情况下保存数据，从而显著降低能耗并提高数据的稳定性。