半导体封装结构及其形成方法

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半导体封装结构及其形成方法
申请号:CN202510489431
申请日期:2025-04-18
公开号:CN120834106A
公开日期:2025-10-24
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括一个半导体芯片和一个导电粘合层。半导体芯片包括一个半导体基底、一个半导体器件和一个通孔。半导体基底具有第一表面和第二表面。半导体器件形成在半导体基底的第一表面上。通孔以这样一种方式形成,即它穿过半导体基底。导电粘合层设置在半导体基底的第二表面上。通孔与导电粘合层耦合。
技术关键词
半导体封装结构 半导体基底 半导体芯片 半导体器件 引线框架 通孔 半导体晶圆 导电垫 导电层 互连结构 导电线 半导体设备 半导体基板 导电胶层 电源 信号
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