一种碲镉汞芯片及其制造方法

本发明属于半导体材料领域，公开了一种碲镉汞芯片及其制造方法，包括：于芯片表面依次匀胶、烘干、曝光、显影，在芯片表面的光刻胶层中开设出光刻孔一，然后沿光刻孔一向芯片内部刻蚀出刻蚀孔，之后去除光刻胶；再次在芯片表面匀胶，光刻胶填满刻蚀孔，然后依次烘干、曝光、显影，在刻蚀孔内套刻光刻孔二，光刻孔二的深度等于刻蚀孔，光刻孔二的直径小于刻蚀孔的直径；再依次进行腐蚀、检测，即完成碲镉汞芯片的制造。本发明通过二次光刻结合湿法腐蚀的工艺，可以有效的去除因干法刻蚀造成的孔内反型，提升芯片性能；并且本发明提供的制造方法可避免湿法腐蚀时腐蚀液腐蚀ZnS层、CdTe层，避免出现台阶型间隙，进一步提升芯片性能。