一种大电流MOSFET短路测试保护方法

本发明公开了一种大电流MOSFET短路测试保护方法，涉及测量电变量，构建n个并联连接的保护电路，保护电路包括反馈模块和高侧栅极驱动单元，高侧栅极驱动单元的驱动信号输入端连接形成保护电路驱动信号输入端；保护电路驱动信号输入端与控制单元的控制信号输出端连接，控制单元的时钟信号输出端输出n路时钟信号CLKi至n个反馈模块，且n路时钟信号CLKi与n个反馈模块一一对应，控制单元的驱动信号输出端与低侧栅极驱动单元连接，低侧栅极驱动单元与待测MOSFET连接；测试时，通过保护电路对IGBT的驱动电压进行调整，以使IGBT处于稳态工作点之后，再对待测MOSFET进行短路测试。本发明突破了IGBT电流的耐受上限，同时提高测试平台的电流容量，提高了测试过程的可靠性。