一种高稳定性与散热性的改进型IGBT芯片及其制造方法

本发明公开了一种高稳定性与散热性的改进型IGBT芯片及其制造方法，涉及电力电子技术领域，包括散热底座、限位槽、限位机构和调节机构，所述散热底座内固定连接有固定架，固定架上固定连接有安装板，散热底座表面以安装板为中心对称开设有限位槽，限位槽两侧均设置有限位机构，所述散热底座于固定架下方开设有调节槽，调节槽内可拆卸有螺纹传动的调节机构；通过转动旋钮，经螺纹杆与定位孔的螺纹配合带动安装架移动，进而使限位压板嵌入卡槽，实现对IGBT芯片的限位，且限位件在螺纹杆推动下借助垫片将芯片固定，提升安装稳定性，安装板下方散热片配合散热风扇及通风槽，形成良好空气循环，有效降低芯片工作温度，保证其稳定运行，提高性能与寿命。