一种机器人关节GaN阵列系统芯片结构及其制备方法

本发明公开了一种机器人关节GaN阵列系统芯片结构及其制备方法，涉及机器人关节驱动控制技术领域，芯片结构，包括三个基本单元，每个基本单元包含两个HEMT器件；每个基本单元中，第一HEMT器件的源极与第二HEMT器件的漏极通过互联金属连接，形成互联金属电极；三个互联金属电极分别用于与机器人关节电机的三相输入端口连接；每个基本单元中，两个HEMT器件之间设有SiNx钝化层，用于绝缘隔离；芯片结构集成于单个晶圆上，形成由六个HEMT器件构成的GaN矩阵芯片。本发明的芯片结构体积大大减少，降低了封装和驱动电路设计的成本，且在高压和高温环境中存在较大的优势。