一种嵌入式双面IGBT模块封装结构和制作方法

本发明提供了一种嵌入式双面IGBT模块封装结构和制作方法，属于电子器件技术领域，包括P型基区，P型基区包括基板，基板的上方嵌设IGBT芯片，并集成续流二极管芯片，下方的槽体内嵌设超快恢复二极管，P型基区的上方设置有超低感抗电极层，超低感抗电极层与P型基区之间设置有多晶硅栅极阵列，多晶硅栅极阵列由多个多晶硅栅极组成，其栅氧层通过原子层沉积技术通过交替引入氧化铝和氧化铪，在多晶硅栅极阵列表面逐层沉积薄膜，形成多层结构，P型基区的下方设置有背面互联层，背面互联层的上方设置有复合缓冲层，复合缓冲层与P型基区之间设置有N型梯度掺杂漂移区，解决了传统的IGBT模块通常为单面设计，导致功率密度较低的问题。