一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法

本发明提供一种增强型氮化镓功率半导体器件的封装方法，属于芯片制造技术领域，本发明首先通过三维电场分布仿真优化电极间距与介电层参数，继而使用银烧结工艺实现芯片与散热基板的高效热连接，并设计多层场板结构分散高电场区域。随后施加高介电常数树脂层和低离子含量环氧模塑料进行绝缘和封装，再涂覆硅氧烷改性聚酰亚胺保护层。通过电场耐受性测试、高加速寿命测试和热循环试验验证可靠性，利用聚焦离子束技术形成微纳米沟道结构缓解局部高电场区域，最终基于深度学习框架的电场分布与可靠性预测模型评估器件性能与寿命，解决了氮化镓功率半导体器件在高电压工作环境下的可靠性问题。