一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法

本发明提供一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法，属于芯片设计技术领域，本发明通过有限元仿真分析栅极漏极重叠区域产生的米勒电容值。然后设计不同尺寸的栅极与漏极结构，精确控制间距参数并计算重叠率。采用双场板结构，应用纳什均衡博弈模型分析场板长度与寄生电容关系。利用多指状栅极结构减少单位面积栅极电阻值并分散寄生电容。通过测试电路测量反向恢复特性，分析电容充放电电流波形，计算寄生电容对反向恢复损耗的影响因子。基于测试数据建立优化模型，应用帕累托最优化方法构建参数决策空间，同时优化反向恢复损耗与导通电阻，解决了双向导通GaN功率器件反向恢复损耗过高的技术问题。