热膨胀系数可连续调节的微波介质陶瓷材料、三维多层转接基板及其制备方法

本申请提供一种热膨胀系数可连续调节的微波介质陶瓷材料、三维多层转接基板及其制备方法，属于电子元器件技术领域。热膨胀系数可连续调节的微波介质陶瓷材料的化学式为A1‑xBxDyOz。本申请提出的微波介质陶瓷材料可通过调整元素种类以及元素配比，从而实现热膨胀系数的可连续调节，并且该类微波介质陶瓷材料还具有优异的介电性能，利用该类材料可制成热膨胀系数由小到大逐渐变化的异质共烧三维多层陶瓷基板，用作集成电路芯片与PCB载板之间的转接层，与集成电路芯片连接的表层其膨胀系数与集成电路芯片膨胀系数接近，与PCB载板连接的底层其膨胀系数与PCB载板的膨胀系数接近，从而实现集成电路芯片与PCB载板之间的互连。