摘要
本申请公开了一种芯片筛片后的互连方法和互连结构,该方法包括:获取已形成介质层开孔的2D晶圆,对所述2D晶圆进行晶圆探针测试或晶圆验收测试;其中介质层开孔位于介质层中,介质层位于金属互连层上方;采用填充工艺对所述介质层开孔进行介质层填充和平坦化处理;利用光刻工艺和刻蚀工艺在介质层中定义通孔图形,并使所述通孔停在下层的金属互连层上方;对通孔进行金属填充,并利用金属填充后的通孔将金属互连层与介质层上方的金属线形成金属互连。本申请的方案降低了对AL层布线资源的需求。
技术关键词
金属互连层
介质
刻蚀工艺
金属线
芯片互连结构
大马士革工艺
光刻工艺
通孔
铝衬垫
原子层沉积
电镀工艺
气相
晶圆
探针
氮化硅
氧化硅
定义
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