一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制造方法

本发明公开了一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制备方法，包括N‑型衬底，所述N‑型衬底上表面设置有第一P型扩散区、第二P型扩散区和第三P型扩散区，所述第三P型扩散区上下两端设置有第一P‑型扩散区和第二P‑型扩散区，所述第二P型扩散区上表面靠近所述第一P型扩散区的一侧设置第一N+型扩散区，所述第一P‑型扩散区上表面设置有第二N+型扩散区，所述第二P‑型扩散区上表面的一端设置有两个第三N+型扩散区；本发明可以承受工业领域中高频开关引起的电压尖峰，防止误触发，减少了对外围保护电路的需求，减少电路设计成本以及降低电路功耗；光触发可控硅的设计可以将输入侧与输出侧进行电气隔离，提高抗干扰能力。