一种应用在深N阱中大衬底工作在负压环境的基准电路

本发明提供一种应用在深N阱中大衬底工作在负压环境的基准电路，包括偏置电路，基准电路生成和输出基准电压模块，偏置电路包括第一～三输出端，偏置电路和基准电路生成和输出基准电压模块包括第一～三输入端，第一～三输出端与相应的第一～三输入端连接；偏置电路和基准电路生成和输出基准电压模块中的NMOS管的深N阱连接电源电压，偏置电路以及基准电路生成和输出基准电压模块中的所有MOS管的晶圆衬底环接负位电压vsn。本发明可以应用于+6V～‑6V的工作电压，温度稳定性更好，供电抗干扰性更强，精度更高，更快的响应速度，而且更加节省芯片面积，降低成本。