基于电容补偿位线失调电压的DRAM灵敏放大器、放大电路、芯片

本发明涉及DRAM电路设计技术领域，具体涉及基于电容补偿位线失调电压的DRAM灵敏放大器、放大电路、芯片。本发明公开了一种基于电容补偿位线失调电压的DRAM灵敏放大器，包括：信号放大部、预充电路部。其中，信号放大部包括：9个NMOS管N1～N8、N12，3个PMOS管P1～P3，1个电容C0。本发明利用电容C0对于位线失调电压进行补偿，实现了失调电压的有效消除，提高了读取精度。本发明通过在进行信号放大时导通NMOS管N8对C0进行短路，以加速信号放大过程、并降低电路功耗。本发明解决了现有传统DRAM灵敏放大器失调电压偏大、功耗偏高的问题。