一种存储芯片的封装结构及其制备方法

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一种存储芯片的封装结构及其制备方法
申请号:CN202510529666
申请日期:2025-04-25
公开号:CN120379277B
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
为克服现有层叠式芯片封装结构中存在散热不良,以及各存储芯片之间体积膨胀率不同导致的应力的问题,本发明提供了一种存储芯片的封装结构,包括基板、控制芯片、导热层、存储芯片、导热浆料层和封装胶层,所述导热层设置于所述控制芯片背离所述基板的表面,在多个所述存储芯片的两侧分别形成有第一阶梯面和第二阶梯面,所述控制芯片、所述导热层和所述存储芯片位于所述封装胶层中,所述导热浆料层包括第一导热浆料层和第二导热浆料层,所述第一导热浆料层覆盖于所述第二阶梯面,所述第二导热浆料层覆盖于所述封装胶层的外表面。同时,本发明还公开了上述存储芯片的封装结构的制备方法。
技术关键词
导热浆料 存储芯片 控制芯片 有机硅树脂层 有机硅浆料 阶梯面 金属片 层叠体 基板 芯片封装结构 焊盘 环氧树脂材料 阶梯式 正硅酸乙酯 引线
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