一种半导体封装基板及其制备方法

本发明公开了一种半导体封装基板及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，封装基板包括：第一基板层、第二基板层和基座，第一基板层的中部设置有第一配合通槽，基座嵌合在第一配合通槽内；第二基板层的中部设置有口框镂空通槽，第二基板层对应叠合在第一基板层上，且第二基板层基于口框镂空通槽与第一基板层配合形成槽口结构；槽口结构内设置有容纳芯片的固晶区域，基座和第一基板层的部分线路结构位于槽口结构内。通过在第一基板层的第一配合通槽内埋嵌基座，通过基座、第一基板层和第二基板层的线路排布代替焊线连接，优化封装工艺，同时降低寄生效应、减少开关损耗和导通损耗，提高大功率芯片器件的工作稳定性。