晶圆堆叠方法及堆叠结构

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晶圆堆叠方法及堆叠结构
申请号:CN202510534394
申请日期:2025-04-25
公开号:CN120413442A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种晶圆堆叠方法及一种堆叠结构。所述晶圆堆叠方法中,在将第一晶圆结构与第二晶圆结构垂向堆叠键合之前,通过形成平坦化层补平第一晶圆结构的第一表面,在第一晶圆结构与第二晶圆结构形成堆叠结构后,可以避免堆叠结构边缘形成掉低区域宽度的间隙,在对所述堆叠结构进行边缘修整时,修整宽度可以设置得较小,在确保晶圆堆叠质量的同时,有助于减小边缘修整宽度,增大堆叠结构用于设置芯片的有效半径,有助于减小良率损失,降低工艺控制和在线维护的难度。所述堆叠结构可采用上述晶圆堆叠方法形成,在确保晶圆堆叠质量的同时,有助于获得较大的用于形成芯片的有效半径。
技术关键词
晶圆结构 堆叠结构 晶圆堆叠方法 平坦化层 布线工艺 金属垫 单片 介质 芯片 良率 焊盘 在线
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