一种芯片封装结构及其制备方法、应用

本申请涉及属于半导体技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构及其制备方法、应用。本申请的芯片封装结构包括芯片与封装构件，芯片与封装构件通过一铜连接层连接在一起；铜连接层包括铜纳米棒交织形成的三维网状结构。本申请实施例的芯片和封装构件之间通过铜连接层贴合在一起，铜连接层中的铜纳米棒三维网状结构可以提高芯片与封装构件的连接强度。芯片与封装构件之间的连接层只有铜，具有优异的导电导热性，有利于改善芯片的电信号传输和热传导性能；铜连接层具有高熔点，即使芯片封装结构在高温下工作也不容易熔化，因此可以提高芯片封装结构的可靠性。