高压发光二极管及发光装置

本申请提供了一种高压发光二极管及发光装置，该高压发光二极管包括衬底和位于衬底上方的N个发光单元，相邻发光单元按照预设排列方向通过桥接电极依次连接，相邻发光单元之间通过隔离槽间隔，隔离槽在其长度方向上包括第一沟道和第二沟道；沿发光二极管的俯视视角，桥接电极横跨于第二沟道的上方；至少一个第一沟道在其长度方向上与相邻发光单元的排列方向具有一夹角α，其中，α≠90°。通过改变相邻发光单元之间隔离槽的结构参数，以优化相邻的发光单元的电流扩展面积差，使每个发光单元的电流密度保持均衡稳定，避免每个发光单元产生电流拥挤并显著降低爆点的发生概率，提高了芯片的ESD性能和芯片的质量可靠性。